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電性能測(cè)試

高絕緣電阻測(cè)試儀體積表面電阻率測(cè)試儀介電常數(shù)測(cè)試儀高壓擊穿測(cè)試儀耐電壓擊穿試驗(yàn)儀耐壓試驗(yàn)儀介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀介電強(qiáng)度測(cè)試儀導(dǎo)體直流電阻測(cè)試儀介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀電壓擊穿測(cè)試儀

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LDJD系列介電常數(shù)儀

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型號(hào)：LDJD系列

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LDJD系列介電常數(shù)儀是我司研發(fā)用于測(cè)試電氣或其他絕緣材料在高頻測(cè)試條件下的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗因數(shù)的專(zhuān)用設(shè)備，系列包含LDJD-A、LDJD-B、LDJD-B三款型號(hào)，信號(hào)源頻率覆蓋范圍以及所能測(cè)試的Q值范圍均有所不同。
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QJ36S-2B數(shù)字直流低電阻測(cè)試儀

更新時(shí)間：2025-06-11

型號(hào)：QJ36S-2B

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QJ36S-2B 數(shù)字直流低電阻測(cè)試儀為傳統(tǒng)的QJ36型直流電橋之升級(jí)換代產(chǎn)品，借鑒*技術(shù)基礎(chǔ)上，結(jié)合國(guó)內(nèi)線纜企業(yè)生產(chǎn)、測(cè)量的實(shí)際需要而研發(fā)，適合實(shí)驗(yàn)室及現(xiàn)場(chǎng)對(duì)直流低值電阻作準(zhǔn)確測(cè)量，測(cè)量范圍、測(cè)量電流、準(zhǔn)確度、靈敏度、分辨力等全面滿(mǎn)足國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 3048.2-2007《電線電纜電性能試驗(yàn)方法第2部分：金屬材料電阻率試驗(yàn)》。
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GJW-100kV100kV高壓擊穿測(cè)試儀

更新時(shí)間：2025-06-11

型號(hào)：GJW-100kV

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GJW系列電壓擊穿測(cè)試儀是根據(jù)GB/T 1408系列標(biāo)準(zhǔn)研制而成，設(shè)備提供工頻高壓下的擊穿強(qiáng)度和耐壓時(shí)間的測(cè)試。100kV高壓擊穿測(cè)試儀電壓測(cè)試范圍為0-100kV，升壓速率可調(diào)。設(shè)備采用計(jì)算機(jī)控制，實(shí)時(shí)采集數(shù)據(jù)，可存取顯示和打印。
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LDJC-YS全自動(dòng)絕緣油介質(zhì)損耗儀——航天偉創(chuàng)

更新時(shí)間：2025-06-11

型號(hào)：LDJC-YS

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全自動(dòng)絕緣油介質(zhì)損耗儀——航天偉創(chuàng) LDJC-YS 全自動(dòng)絕緣油介電強(qiáng)度測(cè)試儀是我公司精心研制開(kāi)發(fā)的高準(zhǔn)確度、全數(shù)字化工業(yè)儀器。本測(cè)試儀采用了全自動(dòng)數(shù)字化微機(jī)控制，所以測(cè)量精度高、抗干擾能力強(qiáng)、安全可靠。
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GJW-100kV（高溫）電壓擊穿測(cè)試儀

更新時(shí)間：2025-06-11

型號(hào)：GJW-100kV

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（高溫）電壓擊穿測(cè)試儀可測(cè)試5kV~150kV交流和直流耐壓測(cè)試，適用于硫化橡膠、塑料、電線電纜絕緣和護(hù)套材料、絕緣紙、酚醛樹(shù)脂、電容器紙等電氣絕緣材料。
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PC36直流電阻測(cè)試儀——航天偉創(chuàng)

更新時(shí)間：2025-06-11

型號(hào)：PC36

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PC36C型直流電阻測(cè)試儀——航天偉創(chuàng) PC36 系列直流電阻測(cè)量?jī)x是電線電纜導(dǎo)體直流電阻測(cè)量的儀表，測(cè)量快速、準(zhǔn)確、讀數(shù)穩(wěn)定、使用方便，是QJ57、QJ36 電橋的更新?lián)Q代產(chǎn)品。
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LDJC-100kV硫化橡膠耐電壓擊穿試驗(yàn)儀

更新時(shí)間：2025-06-11

型號(hào)：LDJC-100kV

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LDJC-100kV硫化橡膠耐電壓擊穿試驗(yàn)儀 LDJC-100kV電壓擊穿試驗(yàn)儀主要適用于固體絕緣材料如：塑料、薄膜、樹(shù)脂、云母、陶瓷、玻璃、絕緣漆等介質(zhì)在工頻電壓或直流電壓下?lián)舸?qiáng)度和耐電壓時(shí)間的測(cè)試。
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LDJD-A介電常數(shù)儀（電容率）

更新時(shí)間：2025-06-11

型號(hào)：LDJD-A

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介電常數(shù)儀（電容率）用于測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)。
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