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影響電氣設(shè)備介質(zhì)損耗角正切的因素和結(jié)果分析

更新時間:2025-01-15      點擊次數(shù):1233

介質(zhì)損耗角正切(或稱介質(zhì)損耗因數(shù))通常用tanδ表示。測量tanδ值可以反映出絕緣介質(zhì)損耗的大小。良好絕緣的 tanδ不隨電壓的升高而明顯增加。若絕緣內(nèi)部有缺陷,特別是存在氣隙,則 tanδ將隨電壓的升高呈現(xiàn)明顯轉(zhuǎn)折,如圖所示。

image.png

tanδ與電壓的關(guān)系曲線

影響tanδ的因素

1.溫度的影響

溫度對 tanδ的影響程度隨材料、結(jié)構(gòu)的不同而異。一般情況下,tanδ隨溫度上升而增加。為便于比較,應(yīng)將不同溫度下的tanδ值換算至20℃。應(yīng)當(dāng)指出,由于被試品的溫度換算系數(shù)不是十分符合實際,換算后往往誤差較大。因此,盡量在同

一溫度或10~30℃溫度范圍內(nèi)測量。

2.電壓的影響

良好絕緣的 tanδ不隨電壓的升高而明顯增加。若絕緣內(nèi)部有缺陷,則tan8將隨電壓的升高而明顯增加,tan6與電壓的關(guān)系典型曲線如圖所示。

image.png


tanδ與電壓的關(guān)系典型曲線

1-絕緣良好的情況 2-絕緣老化的情況 3-絕緣中存在氣隙的情況 4-絕緣受潮的情況

3.試品電容的影響

對電容量較小的設(shè)備(套管、互感器、耦合電容器等),測量 tanδ能有效地發(fā)現(xiàn)局部集中性和整體分布性缺陷。但對電容量較大的設(shè)備(變壓器、電力電纜等),測量 tanδ只能發(fā)現(xiàn)整體分布性缺陷,如存在局部集中性缺陷,由于其引起的損耗僅占總損耗的很小一部分而被掩蓋。換言之,tanδ發(fā)現(xiàn)缺陷的靈敏程度是由缺陷部分的體積占總體積的百分比決定的。

tanδ值測量結(jié)果分析

(1)與規(guī)程規(guī)定注意值(或警示值)比較。

(2)與歷史數(shù)據(jù)比較,有時即使數(shù)據(jù)沒有超標(biāo),但有明顯增長趨勢,也應(yīng)引起注意。此時,可增加試驗項目,以便對試品進(jìn)行綜合分析。

(3)與同類設(shè)備比較,數(shù)據(jù)不應(yīng)有明顯差異。


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